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삼성전자가 중국 반도체 공장에 80억 달러(9조 3800억원)를 추가 투자할 전망이다.

12일 신랑과기(新浪科技)는 외신 보도를 인용해 삼성전자가 중국 시안(西安) 반도체 공장에 80억 달러를 추가 투자해 NAND 플래시 메모리칩 생산량을 늘릴 계획이라고 보도했다.

이는 삼성이 시안 플래시 메모리칩 프로젝트 2기에 투입하는 두 번째 자금이다. 삼성은 앞서 총 108억 달러(12조 6600억원)의 자금을 프로젝트 1기에 투입한 뒤 70억 달러(8조 2000억원)를 프로젝트 2기에 투자한 바 있다. 이번에 추가 투입되는 80억 달러를 합산하면 프로젝트 2기에만 총 150억 달러가 투자되는 셈이다.

시안 공장 프로젝트 2기는 오는 2021년 하반기 준공될 것으로 전망된다. 완공 후 해당 공장의 신규 추가 생산량은 월 13만 개로 가치는 300억 위안(5조 500억원)에 달한다.

삼성의 이번 투자는 오는 2020년 반등할 것으로 전망되는 글로벌 메모리 시장을 공략한 것으로 풀이된다. 업계 예측에 따르면, 한정된 공급량과 5G 설비 및 네트워크 수요 증가로 내년 글로벌 메모리칩 시장은 크게 늘어날 것으로 기대된다. 

한편, NAND 플래시 메모리칩은 영구적으로 데이터를 보존할 수 있어 모바일 설비, 메모리 카드, USB 플래시 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브에 주로 사용되고 있다. 삼성은 현재 세계 최대 NAND 플래시 메모리칩 제조상으로 꼽히고 있으며 경쟁 업체로는 SK 하이닉스, 미국 마이크론 테크놀로지, 일본 도시바사 등이 있다.

이민희 기자