상하이방

중국이 쓰기속도가 USB에 비해 1만배나 빠른 제3의 저장기술을 개발했다고 12일 과기일보(科技日报)가 보도했다.
푸단대 교수진이 연구개발한 2차원반도체기술은 빠른 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있을 뿐만 아니라 메모리 속 데이터의 저장주기를 수요에 따라 정할 수도 있다고 밝혔다.

기술 개발자 중 한 사람인 푸단대 장웨이(张卫) 교수는 "현재 메모리기술은 두가지 종류 즉 빠른 속도로 데이터를 입력할 수 있으나 전원이 꺼지면 데이터가 지워지는 저장방식과 USB와 같이 데이터를 입력하는데는 시간이 들지만 약 10년정도 보존이 가능한 저장방식 두가지가 있다"고 설명했다.

이번에 개발한 신기술은 바로 이 두가지 특징을 모두 갖춘 저장기술이다. 이 저장기술은 쓰기속도가 USB의 1만배에 달하고 데이터 리프레시 시간은 메모리기술의 156배에 달한다. 뿐만 아니라 수요에 따라 저장기간을 효율적으로 정할 수 있다는 특징이 있다.

윤가영 기자